压力传感器的发展史上经历了四个阶段，现已成为各类传感器中技术最成熟、性能稳定、性价比最高的一类传感器，有着体积小、重量轻、灵敏度高、稳定可靠、成本低以及便于集成化的优点，并广泛应用于水利、地质、气象、化工和医疗卫生等方面。听起来是不是很厉害呢？所以我们更要了解它的发展历史，这样才能更加深入的了解，前面我们也说到了历经四个阶段，那么这四个阶段是怎样的呢？
1945-1960年，这个阶段主要以1947年双极性晶体管的发明为标志。此后，半导体材料的这一特性得到较广泛应用。史密斯（C.S.Smith）与1945发现了硅与锗的压阻效应，即当有外力作用于半导体材料时，其电阻将明显发生变化。依据此原理制成的压力传感器是把应变电阻片粘在金属薄膜上，即将力信号转化为电信号进行测量。此阶段最小尺寸大约为1cm。
1960-1970年，随着硅扩散技术的发展，技术人员在硅的（001）或（110）晶面选择合适的晶向直接把应变电阻扩散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成较薄的硅弹性膜片，称为硅杯。这种形式的硅杯传感器具有体积小、重量轻、灵敏度高、稳定性好、成本低、便于集成化的优点，实现了金属-硅共晶体，为商业化发展提供了可能。
1970-1980年，在硅杯扩散理论的基础上应用了硅的各向异性的腐蚀技术，扩散硅传感器其加工工艺以硅的各项异性腐蚀技术为主，发展成为可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术，主要有V形槽法、浓硼自动中止法、阳极氧化法自动中止法和微机控制自动中止法。由于可以在多个表面同时进行腐蚀，数千个硅压力膜可以同时生产，实现了集成化的工厂加工模式，成本进一步降低。
1980年到现在，上世纪末出现的纳米技术，使得微机械加工工艺成为可能。通过微机械加工工艺可以由计算机控制加工出结构型的压力传感器，其线度可以控制在微米级范围内。利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、膜，使得压力传感器进入了微米阶段。
以上是压力传感器历经的四个阶段，在压力、高度、加速度、液体的流量、流速、液位、压强的测量与控制等领域广泛使用，未来也会渗透到更多的行业中，有着更多的应用，起到重要作用。
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