LVDT位移传感器具有非常高的测量精度，主要用于应用中的位移与位置的精确测量，那你们知道温度对LVDT位移传感器具有哪些影响吗，今日小编就带你来了解一下。

温度变化对输出信号的影响

温度变化会以两种不同的方式影响LVDT的输出信号，包括机械膨胀和LVDT电气特性的变化。机械膨胀导致LVDT磁芯和LVDT绕组之间的相对运动。最后的效果是发送一个错误的核心运动信号，导致零迁移错误。温度也可能改变LVDT的初级输入电流或核心材料的磁性，这会影响LVDT的电气特性。这可能导致比例因子变化或跳闸偏移误差。 

温度对LVDT材料的影响

温度变化对磁性能影响不大LVDT磁芯材料以及在正常工作温度范围内对变压器运行的影响可以忽略不计。为了抵消LVDT材料的热膨胀系数的影响，LVDT在结构上从中心到两端对称地延伸。新的制造技术和材料还使LVDT能够在恶劣的环境中运行，包括极端高温和低温。定制LVDT可设计为在高达400°F的温度下运行。通过使用特殊制造的材料和线性位移传感器的特殊高熔点焊接实现高温额定值。

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